長鑫儲存計劃兩個月內啟動HBM3E限量生產，良率僅20%-30%
10月28日路透社獨家報道，中國最大DRAM晶片製造商長鑫儲存計劃未來兩個月內啟動HBM3E高頻寬儲存晶片限量生產，良率僅約20%-30%，遠低於SK海力士約70%水平，反映中國AI晶片產業儲存短缺困境。華為、寒武紀等已因儲存成本上漲提價兩至五成。
10月28日路透社獨家報道，中國最大DRAM晶片製造商長鑫儲存計劃未來兩個月內啟動HBM3E高頻寬儲存晶片限量生產，良率僅約20%-30%，遠低於SK海力士約70%水平，反映中國AI晶片產業儲存短缺困境。華為、寒武紀等已因儲存成本上漲提價兩至五成。
美國賬號 @ChinaSelect 發文指出，長鑫儲存（CXMT）作為被五角大樓認定的中國軍工企業，依賴中共補貼及西方先進晶片製造裝置維持競爭力。該賬號呼籲美國國會透過《MATCH法案》（MATCH Act），旨在禁止向長鑫儲存等中國軍工企業出售先進晶片製造裝置，以遏制其技術發展並保護美國及盟友企業的市場競爭力。
網傳2026年8月17日，彭博社報道長鑫儲存實現盈利並躋身全球第四大DRAM廠商。
2026年8月11日，前三星員工在首爾中央地方法院出庭作證稱，長鑫儲存2016年成立時既無實驗室也無裝置，從一開始就打算用三星的工藝資料開發DRAM；韓國檢方指控其獲取三星18奈米DRAM技術。
2026年8月9日，《華爾街日報》報道蘋果已在iPhone和MacBook上測試長鑫儲存記憶體晶片，並與長鑫初步洽談，擬用於部分在華銷售裝置，並尋求白宮認可。
2026年7月27日，長鑫科技（長鑫儲存）在上交所科創板掛牌，募資約579億元，為今年以來A股募資規模最大的IPO、科創板史上第一大IPO。
路透社2026年6月17日披露，美國政府出於避免激化美中關係的考慮，暫緩將中國AI公司DeepSeek、晶片企業長鑫儲存等百餘家已獲跨部門批准的中國實體正式列入出口管制實體清單。
2026年4月，韓國法院認定一名前三星研究員向中國長鑫儲存洩露半導體技術，違反《工業技術保護法》，判處其七年監禁。
南韓檢方調查顯示，長鑫儲存2016年初期便制定“合肥計劃”，針對三星DRAM製程與人才；一名三星前員工2016年跳槽後被控提供大量DRAM技術手寫資料。