南韓檢方調查顯示，長鑫儲存2016年初期便制定“合肥計劃”，針對三星DRAM製程與人才；一名三星前員工2016年跳槽後被控提供大量DRAM技術手寫資料。
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中美對標
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媒體
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DIGITIMES：長鑫儲存「合肥計畫」曝光
2026-10-07 00:31 · 最新南韓檢方調查顯示，中國記憶體業者長鑫儲存早在2016年初期便制定「合肥計畫」（H Project）
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科技新報（TechNews）：韓國檢方抓到前三星員工向中國長鑫儲存洩漏先進 DRAM 製程秘密
2026-10-07 00:31 · 另外，還有一名於 2016 年跳槽至長鑫儲存的前三星員工，則被控向這家中國記憶體大廠提供了大量關於 DRAM 技術的手寫資訊。
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前因
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本事件
長鑫儲存成立並計劃獲取三星DRAM核心工藝
2016 · 已報道
後果
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