長鑫儲存計劃兩個月內啟動HBM3E限量生產，良率僅20%-30%

10月28日路透社獨家報道，中國最大DRAM晶片製造商長鑫儲存計劃未來兩個月內啟動HBM3E高頻寬儲存晶片限量生產，良率僅約20%-30%，遠低於SK海力士約70%水平，反映中國AI晶片產業儲存短缺困境。華為、寒武紀等已因儲存成本上漲提價兩至五成。