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10月28日,路透社報道,中國最大DRAM廠商長鑫儲存計劃兩個月內啟動HBM3E限量生產,良率僅20%-30%,遠低於SK海力士約70%水平,華為、寒武紀等因儲存成本上漲提價兩至五成。[中國科技][長鑫儲存][晶片出口管制]
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釋出於 2026-10-28 21:00 · 33 次瀏覽
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