长鑫存储计划两个月内启动HBM3E限量生产，良率仅20%-30%
10月28日路透社独家报道，中国最大DRAM芯片制造商长鑫存储计划未来两个月内启动HBM3E高带宽存储芯片限量生产，良率仅约20%-30%，远低于SK海力士约70%水平，反映中国AI芯片产业存储短缺困境。华为、寒武纪等已因存储成本上涨提价两至五成。
10月28日路透社独家报道，中国最大DRAM芯片制造商长鑫存储计划未来两个月内启动HBM3E高带宽存储芯片限量生产，良率仅约20%-30%，远低于SK海力士约70%水平，反映中国AI芯片产业存储短缺困境。华为、寒武纪等已因存储成本上涨提价两至五成。
美国账号 @ChinaSelect 发文指出，长鑫存储（CXMT）作为被五角大楼认定的中国军工企业，依赖中共补贴及西方先进芯片制造设备维持竞争力。该账号呼吁美国国会通过《MATCH法案》（MATCH Act），旨在禁止向长鑫存储等中国军工企业出售先进芯片制造设备，以遏制其技术发展并保护美国及盟友企业的市场竞争力。
网传2026年8月17日，彭博社报道长鑫存储实现盈利并跻身全球第四大DRAM厂商。
2026年8月11日，前三星员工在首尔中央地方法院出庭作证称，长鑫存储2016年成立时既无实验室也无设备，从一开始就打算用三星的工艺资料开发DRAM；韩国检方指控其获取三星18纳米DRAM技术。
2026年8月9日，《华尔街日报》报道苹果已在iPhone和MacBook上测试长鑫存储内存芯片，并与长鑫初步洽谈，拟用于部分在华销售设备，并寻求白宫认可。
2026年7月27日，长鑫科技（长鑫存储）在上交所科创板挂牌，募资约579亿元，为今年以来A股募资规模最大的IPO、科创板史上第一大IPO。
路透社2026年6月17日披露，美国政府出于避免激化美中关系的考虑，暂缓将中国AI公司DeepSeek、芯片企业长鑫存储等百余家已获跨部门批准的中国实体正式列入出口管制实体清单。
2026年4月，韩国法院认定一名前三星研究员向中国长鑫存储泄露半导体技术，违反《工业技术保护法》，判处其七年监禁。
南韩检方调查显示，长鑫存储2016年初期便制定“合肥计划”，针对三星DRAM制程与人才；一名三星前员工2016年跳槽后被控提供大量DRAM技术手写资料。