长鑫存储计划两个月内启动HBM3E限量生产，良率仅20%-30%

10月28日路透社独家报道，中国最大DRAM芯片制造商长鑫存储计划未来两个月内启动HBM3E高带宽存储芯片限量生产，良率仅约20%-30%，远低于SK海力士约70%水平，反映中国AI芯片产业存储短缺困境。华为、寒武纪等已因存储成本上涨提价两至五成。