前三星工程師在韓作證指控長鑫儲存初創期獲取三星DRAM核心技術
2026年8月11日，前三星員工在首爾中央地方法院出庭作證稱，長鑫儲存2016年成立時既無實驗室也無裝置，從一開始就打算用三星的工藝資料開發DRAM；韓國檢方指控其獲取三星18奈米DRAM技術。
2026年8月11日，前三星員工在首爾中央地方法院出庭作證稱，長鑫儲存2016年成立時既無實驗室也無裝置，從一開始就打算用三星的工藝資料開發DRAM；韓國檢方指控其獲取三星18奈米DRAM技術。
2026年4月，韓國法院認定一名前三星研究員向中國長鑫儲存洩露半導體技術，違反《工業技術保護法》，判處其七年監禁。