前三星工程师在韩作证指控长鑫存储初创期获取三星DRAM核心技术
2026年8月11日，前三星员工在首尔中央地方法院出庭作证称，长鑫存储2016年成立时既无实验室也无设备，从一开始就打算用三星的工艺资料开发DRAM；韩国检方指控其获取三星18纳米DRAM技术。
2026年8月11日，前三星员工在首尔中央地方法院出庭作证称，长鑫存储2016年成立时既无实验室也无设备，从一开始就打算用三星的工艺资料开发DRAM；韩国检方指控其获取三星18纳米DRAM技术。
2026年4月，韩国法院认定一名前三星研究员向中国长鑫存储泄露半导体技术，违反《工业技术保护法》，判处其七年监禁。